IGBT Q6ES50A

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT Q6ES50A
Описание IGBT Q6ES50A
IGBT Q6ES50A – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, включая инверторы, частотные преобразователи, сварочные аппараты и импульсные источники питания. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT (NPT/Trench) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Ток коллектора (IC) | 50 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (IC) | 30 А (при 100°C) |
| Максимальный импульсный ток (ICM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (VGE(th)) | 4–6 В |
| Время включения (ton) | 45 нс |
| Время выключения (toff) | 150 нс |
| Корпус | TO-247 или аналогичный |
| Температура хранения | -55°C до +150°C |
| Температура перехода (Tj) | до +150°C |
Альтернативные парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги:
- IRG4PC50UD (International Rectifier)
- FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
- HGTG50N60B3 (Microsemi)
- IXGH50N60B3 (IXYS)
Совместимые модели (с проверкой распиновки):
- STGW50NC60WD (STMicroelectronics)
- APT50GF60B2G (Microchip)
- MG50Q6ES40 (Mitsubishi)
Примечание
Перед заменой рекомендуется проверить:
- Распиновку и корпус.
- Напряжение и токовые характеристики.
- Условия охлаждения (возможна замена на модуль с лучшими термопараметрами).
Если у вас есть дополнительные данные о производителе (например, Mitsubishi, Infineon), можно уточнить параметры.