IGBT Q6ES50A

Описание IGBT Q6ES50A

IGBT Q6ES50A – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, включая инверторы, частотные преобразователи, сварочные аппараты и импульсные источники питания. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT (NPT/Trench) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 100°C) |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4–6 В |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Корпус | TO-247 или аналогичный |
| Температура хранения | -55°C до +150°C |
| Температура перехода (T_j) | до +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)
• IXGH50N60B3 (IXYS)

Совместимые модели (с проверкой распиновки):

• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)
• APT50GF60B2G (Microchip)
• MG50Q6ES40 (Mitsubishi)

Примечание

Перед заменой рекомендуется проверить:

• Распиновку и корпус.
• Напряжение и токовые характеристики.
• Условия охлаждения (возможна замена на модуль с лучшими термопараметрами).

Если у вас есть дополнительные данные о производителе (например, Mitsubishi, Infineon), можно уточнить параметры.