IGBT PWB80A30

Описание IGBT PWB80A30

PWB80A30 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в различных электронных устройствах. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых приложениях.

Технические характеристики

• Тип транзистора: NPT IGBT
• Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES): 300 В
• Ток коллектора (I_C): 80 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 160 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1.8 В (при I_C = 80 А)
• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 5 В
• Время включения (t_on): 35 нс
• Время выключения (t_off): 120 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (изолированный)

Парт-номера и совместимые модели

• Аналоги от других производителей:
  • Infineon: IKW30N60T
  • STMicroelectronics: STGW30NC60WD
  • Fairchild (ON Semiconductor): FGH30N60SFD
  • Mitsubishi: CM300DY-24A
• Совместимые модели в схемах:
  • PWB80A30 можно заменять на: PWB60A30 (меньший ток), PWB100A30 (больший ток)
  • Для ремонта инверторов: часто используется в платах управления LG, Samsung, Hyundai

Если вам нужна замена, рекомендуется учитывать рабочие параметры (напряжение, ток, скорость переключения) и терморежим.

Нужна дополнительная информация?