IGBT psd112/16

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT psd112/16
Описание IGBT PSD112/16
IGBT PSD112/16 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.
Этот модуль относится к классу NPT (Non-Punch Through) IGBT, обеспечивает высокую надежность и эффективность в работе при значительных токах и напряжениях.
Технические характеристики PSD112/16
| Параметр | Значение |
|-----------------------------|-------------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1600 В |
| Номинальный ток коллектора (IC) | 112 А |
| Импульсный ток (ICM) | 224 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | 600 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | 2,8 В (при 112 А) |
| Время включения (ton) | 150 нс |
| Время выключения (toff) | 500 нс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C |
| Тип корпуса | TO-247 (возможны другие варианты) |
| Встроенный диод | Быстрый FRD (Freewheeling Diode) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Infineon: IGW75N65H5, IKW75N65EH5
- Fuji Electric: 2MBI200U4A-060
- Mitsubishi: CM600DU-24NFH
- SEMIKRON: SKM400GB176D
- IXYS: IXGR40N160
Парт-номера производителя:
- PSD112/16 (базовая модель)
- PSD112/16R (модификация с улучшенным теплоотводом)
- PSD112/16F (версия с быстрым переключением)
Применение
- Силовые инверторы
- Частотные преобразователи
- Сварочные аппараты
- Управление электродвигателями
- ИБП и системы резервного питания
Если вам нужны более точные данные (например, графики характеристик или параметры диода), уточните производителя (Infineon, Fuji, Semikron и т. д.), так как у разных брендов могут быть отличия.
Нужны ли дополнительные параметры (ёмкость затвора, индуктивность выводов и пр.)?