IGBT PS51789

Описание IGBT PS51789

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) PS51789 – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в импульсных преобразователях, инверторах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах. Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой стойкостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с диодом обратного хода | | Макс. напряжение (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Пиковый ток (I_CM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт (с теплоотводом) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 25 А) | | Время переключения (t_sw) | ~50 нс (вкл./выкл.) | | Корпус | TO-247 (возможны аналоги) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные и альтернативные обозначения:

• PS51789 (основной номер)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)

Совместимые модели (аналоги по характеристикам):

• STGW50H60DF (STMicroelectronics)
• IXGH50N60B3 (IXYS)
• APT50GR60J (Microchip Technology)

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнить распиновку и параметры корпуса, так как у разных производителей могут быть отличия в характеристиках.

Если вам нужны дополнительные данные (графики, datasheet), уточните – помогу найти!