IGBT PS11035

Описание IGBT PS11035

IGBT PS11035 — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Он сочетает в себе высокую скорость переключения MOSFET и низкие потери проводимости, характерные для биполярных транзисторов.

Основные сферы применения:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Промышленные и бытовые устройства силовой электроники

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C @ 25°C): 35 А
• Ток коллектора (I_C @ 100°C): 20 А
• Максимальная импульсная мощность (P_tot): 200 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,8 В (при I_C = 35 А)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 100 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (стандартный)

Тепловые характеристики:

• Термосопротивление переход-корпус (R_thJC): 0,5 °C/Вт
• Термосопротивление корпус-радиатор (R_thCH): 0,24 °C/Вт

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA35N60 (Fairchild / ON Semiconductor)
• HGTG35N60A4D (Microsemi)
• STGW35HF60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (по характеристикам):

• IXGH35N60B3D (IXYS)
• APT35GF60B2G (Microchip)
• NGTB35N60FL2WG (ON Semiconductor)

Примечание

Перед заменой рекомендуется проверять соответствие параметров и распиновку, так как у разных производителей могут быть отличия в характеристиках и корпусах.

Если нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните!