IGBT PM50RSA120

Описание IGBT PM50RSA120

PM50RSA120 — это изолированный модуль IGBT с номинальным током 50 А и напряжением 1200 В, предназначенный для высокоэффективных силовых преобразовательных устройств. Модуль содержит два IGBT и два антипараллельных диода в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Основные области применения:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания
• Сварочное оборудование

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Максимальный ток коллектора (I_C) | 50 А | | Ток короткого замыкания (I_SC) | 100 А | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,0 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 40 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 °C/Вт | | Корпус | 24-выводной, изолированный |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW50N120T2 (одиночный IGBT, но схожие параметры)
• Fuji Electric: 2MBI50L-120 (двухключевой модуль)
• Mitsubishi: CM50DY-24H (аналог полумостовой конфигурации)
• SEMIKRON: SKM50GB12T4 (сопоставимый модуль)
• IXYS: IXGH50N120B3 (одиночный IGBT)

Совместимые модели в линейке Mitsubishi:

• PM50RSA060 (600 В, 50 А)
• PM75RSA120 (1200 В, 75 А)
• PM100RSA120 (1200 В, 100 А)

Примечания

• Замена должна учитывать параметры V_CES, I_C и конфигурацию модуля.
• Рекомендуется проверять разводку выводов перед установкой аналога.

Если требуется точный аналог, лучше уточнить datasheet и pinout выбранной замены.