IGBT PM10RSH120

Описание IGBT PM10RSH120

PM10RSH120 — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) с ультрабыстрым диодом в одном корпусе. Предназначен для использования в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

1. Параметры IGBT:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 10 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CM): 20 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 1.8 В (при I_C = 10 А)
• Рассеиваемая мощность (P_D): 100 Вт
• Время включения (t_on): 30 нс
• Время выключения (t_off): 130 нс
• Температура перехода (T_j): от -55°C до +150°C

2. Параметры встроенного диода:

• Прямое напряжение (V_F): 1.6 В (при I_F = 10 А)
• Время восстановления (t_rr): 100 нс

3. Термические характеристики:

• Тепловое сопротивление кристалл-корпус (R_th(j-c)): 1.25 °C/Вт
• Корпус: TO-247

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• Infineon: IKW10N120H3
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA10N120FTD
• STMicroelectronics: STGW10NC120HD
• Mitsubishi: CM10DY-12H

Совместимые модели (похожие характеристики):

• IRGP10B120U (International Rectifier)
• HGTG10N120BN (Fairchild)
• IXGH10N120B (IXYS)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Системы управления электродвигателями

Если требуется более точная замена, рекомендуется сверяться с даташитами производителей, так как параметры могут незначительно отличаться.