IGBT PK160FG160

Описание IGBT PK160FG160

IGBT PK160FG160 — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Промышленные инверторы
• Преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери при переключении.
• Встроенный быстрый диод для защиты от обратного напряжения.
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | NPT IGBT с диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 160 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 320 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 750 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | ~30 мОм |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 или аналогичный |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• FGA160N60SFD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH160N60B3 (IXYS/Littelfuse)
• IRG4PH50UD (Infineon)
• STGW160NC60WD (STMicroelectronics)

Похожие модели (с другими параметрами):

• PK100FG160 (100 А, 1600 В)
• PK200FG160 (200 А, 1600 В)
• PK160FG120 (160 А, 1200 В)

Примечание

Перед заменой убедитесь в соответствии характеристик, особенно напряжения V_CES и тока I_C. Некоторые аналоги могут отличаться по корпусу, тепловым параметрам или встроенному диоду.

Если вам нужна помощь с подбором аналога или уточнением данных — укажите конкретное применение, и я помогу подобрать оптимальный вариант!