IGBT PDT40016

Описание IGBT PDT40016

PDT40016 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокотоковых применений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярных транзисторов (низкие потери в открытом состоянии).

Этот IGBT предназначен для использования в:

• Инверторах и преобразователях частоты
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочном оборудовании
• Промышленных силовых установках

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 400 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 240 А |
| Максимальная импульсная мощность (P_CM) | 3000 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C = 400 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Корпус | TO-247 / TO-264 |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• Infineon: FZ400R16KE3
• Mitsubishi: CM400DY-24A
• SEMIKRON: SKM400GB176D
• Fuji Electric: 2MBI400N-160

Частично совместимые модели (с проверкой параметров):

• IXYS IXGN400N160
• Toshiba MG400Q1US41
• STMicroelectronics STGW40H160DF

Примечания

1. При замене на аналог важно учитывать:
   • Рабочее напряжение и ток
   • Параметры теплового сопротивления
   • Тип корпуса (TO-247 / TO-264)
2. Для надежной работы рекомендуется использовать фирменные драйверы затвора (например, Infineon 1ED020I12-F2).

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните!