IGBT PCPM50CSD120

Описание IGBT PCPM50CSD120

PCPM50CSD120 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Промышленные приводы
• Системы управления электродвигателями
• Устройства плавного пуска

Модуль имеет низкие потери проводимости и высокую скорость переключения, что делает его подходящим для энергоэффективных решений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------|-------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (полумост или другой вариант, уточните) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | до 100 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.0 В (типовое) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.25 °C/Вт |
| Макс. температура перехода (T_j) | 150°C |
| Корпус | Стандартный изолированный (например, 62мм) |
| Вес | ~200 г (зависит от корпуса) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут включать:

• Infineon: FF50R12RT4, FF50R12KT3
• Fuji Electric: 2MBI50U-120
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• IXYS: IXGH50N120

Важно: Замена должна подбираться с учетом вольт-амперных характеристик, корпуса и схемы включения.

Если у вас есть конкретные требования (например, корпусные аналоги или модули с идентичным расположением выводов), уточните – помогу подобрать оптимальный вариант.