IGBT MUBW75-12T8

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT MUBW75-12T8
Описание IGBT MUBW75-12T8
IGBT MUBW75-12T8 – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT) в модульном исполнении, предназначенный для мощных преобразовательных и инверторных систем. Модуль обладает низкими коммутационными потерями, высокой перегрузочной способностью и встроенным быстрым диодом, что делает его пригодным для применения в промышленных приводах, сварочных инверторах и источниках бесперебойного питания (ИБП).
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |------------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Максимальный ток коллектора (IC) | 75 А (при 25°C), 150 А (пиковый) | | Мощность рассеивания (Ptot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.1 В (тип.) | | Время включения (ton) | 45 нс | | Время выключения (toff) | 220 нс | | Встроенный диод | Да (быстрый антипараллельный) | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.25 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C | | Корпус | Модуль (изолированный, TO-247 или аналогичный) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и заменители:
- IXYS IXGH75N120
- Infineon FF75R12RT4
- Fuji Electric 2MBI75L-120
- Semikron SKM75GB12T4
- Mitsubishi CM75DY-12H
Совместимые модули в схемах:
- IRG4PH50UD (для менее мощных систем)
- FGA25N120ANTD (альтернатива в других корпусах)
Применение
- Промышленные частотные преобразователи
- Сварочные инверторы
- ИБП и солнечные инверторы
- Управление электродвигателями
Если нужна дополнительная информация по аналогам или параметрам, уточните!