IGBT MUBW75-12T8

IGBT MUBW75-12T8
Артикул: 299047

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT MUBW75-12T8

Описание IGBT MUBW75-12T8

IGBT MUBW75-12T8 – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT) в модульном исполнении, предназначенный для мощных преобразовательных и инверторных систем. Модуль обладает низкими коммутационными потерями, высокой перегрузочной способностью и встроенным быстрым диодом, что делает его пригодным для применения в промышленных приводах, сварочных инверторах и источниках бесперебойного питания (ИБП).


Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Максимальный ток коллектора (IC) | 75 А (при 25°C), 150 А (пиковый) | | Мощность рассеивания (Ptot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.1 В (тип.) | | Время включения (ton) | 45 нс | | Время выключения (toff) | 220 нс | | Встроенный диод | Да (быстрый антипараллельный) | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.25 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C | | Корпус | Модуль (изолированный, TO-247 или аналогичный) |


Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и заменители:

  • IXYS IXGH75N120
  • Infineon FF75R12RT4
  • Fuji Electric 2MBI75L-120
  • Semikron SKM75GB12T4
  • Mitsubishi CM75DY-12H

Совместимые модули в схемах:

  • IRG4PH50UD (для менее мощных систем)
  • FGA25N120ANTD (альтернатива в других корпусах)

Применение

  • Промышленные частотные преобразователи
  • Сварочные инверторы
  • ИБП и солнечные инверторы
  • Управление электродвигателями

Если нужна дополнительная информация по аналогам или параметрам, уточните!

Товары из этой же категории