IGBT mubw10-12a6

Описание IGBT модуля MUBW10-12A6

MUBW10-12A6 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) в компактном корпусе, предназначенный для управления высокими токами и напряжениями в силовой электронике. Модуль широко применяется в:

• Инверторах и преобразователях частоты
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленных и бытовых устройствах

Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 10 А |
| Ток коллектора (импульсный, I_CM) | 20 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2,5 В (при 10 А) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 50 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C |
| Тип корпуса | TO-247 (или аналогичный) |
| Встроенный диод | Да (антипараллельный) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные и эквивалентные модели

• STMicroelectronics: STGW10NC60KD
• Infineon: IRG4PC40UD
• Fairchild/ON Semiconductor: FGA10N60
• Toshiba: GT10Q301

Другие совместимые модели (аналоги по характеристикам):

• IXYS: IXGH10N60
• Mitsubishi: CM10DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI10N-060

Примечания

1. Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики в даташите.
2. Для надежной работы рекомендуется использовать схему управления с корректным драйвером IGBT.
3. Учитывайте условия охлаждения (радиатор, термопаста).

Если нужен даташит или уточнение параметров – укажите, помогу найти!