IGBT MIG75J7CSA0A

Описание IGBT MIG75J7CSA0A

IGBT MIG75J7CSA0A – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании, электроприводах и промышленных системах управления.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | NPT-IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 150 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 75 А) |
| Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для инверторных схем) |
| Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0,25 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

• Аналоги:

  • IRG7PH50UD1 (International Rectifier)
  • FGA75N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
  • IXGH75N120 (IXYS)
  • STGW75HF120B (STMicroelectronics)

• Совместимые модули (если используется в составе сборки):

  • SKM75GB128D (Semikron)
  • FF75R12RT4 (Infineon)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты MIG/TIG
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Если вам нужны точные аналоги или схемы подключения, уточните область применения.