IGBT mhpm7a8a120a

Описание IGBT модуля MHPM7A8A120A

MHPM7A8A120A – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в силовой электронике. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой температурной стабильностью, что делает его пригодным для использования в промышленных приводах, преобразователях частоты, источниках бесперебойного питания (ИБП) и сварочном оборудовании.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT с диодом обратного хода (NPT IGBT + FRD) |
| Класс напряжения (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 75 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CP) | 150 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.0 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | ~60 нс |
| Время выключения (t_off) | ~400 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт |
| Корпус | 7-контактный модуль (серия NX) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги Mitsubishi Electric:

• CM75DY-12H (устаревший аналог)
• CM75DY-24H (более высоковольтный вариант, 1200 В)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF75R12KT4
• Fuji Electric: 7MBR75SA120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Области применения

• Преобразователи частоты (ПЧ)
• Промышленные приводы
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание

При замене модуля на аналог от другого производителя рекомендуется проверять соответствие характеристик, особенно параметров динамического переключения и термосопротивления.

Если вам нужна дополнительная информация по распиновке или схеме подключения, уточните запрос.