IGBT mg75j1zs50

Описание IGBT MG75J1ZS50

Модель: MG75J1ZS50
Тип: IGBT-транзистор с диодом обратного хода (NPT, Non-Punch Through)
Производитель: Toshiba (или другой, уточните)
Применение:

• Силовые инверторы
• Преобразователи частоты
• Промышленные приводы
• Сварочное оборудование

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|-----------------------------------|
| Коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) / 150 А (импульсный) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт (при 25°C) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4,5–6,5 В (тип. 5,5 В) |
| Время включения (t_on) | 50 нс (тип.) |
| Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Диод обратного хода | Встроенный (FRD) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги (зависит от производителя):

• Infineon: IKW75N50T
• Fuji Electric: 2MBI75N-050
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• Mitsubishi: CM75DY-12H

Прямые замены (уточняйте распиновку и характеристики!):

• MG75J1ZS50 (оригинал)
• MG75J1YS50 (версия с улучшенными параметрами)
• MG100J1ZS50 (аналог на 100 А)

Примечания:

1. Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, особенно в высокочастотных схемах.
2. Учитывайте условия охлаждения (монтаж на радиатор).
3. Для точного подбора аналога используйте даташит производителя.

Если нужны дополнительные параметры (графики, тепловые характеристики), уточните!