IGBT mg75j1bs11

Описание IGBT MG75J1BS11

MG75J1BS11 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) от Mitsubishi Electric, предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 150 А (пиковый) |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,2 В (при 75 А) |
| Время включения (t_on) | 100 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Корпус | 1-в-1 (одиночный модуль), TO-247 или аналогичный |
| Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные аналоги (Mitsubishi):

• MG75J1BS12 (модификация с улучшенными характеристиками)
• MG75J1BS10 (предыдущая версия)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: IKW75N120T2
• Fuji Electric: 2MBI75N-120
• Semikron: SKM75GB12T4
• IXYS (Littelfuse): IXGH75N120B3

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если вам нужно уточнить параметры для конкретной замены, укажите условия эксплуатации (частота переключений, температурный режим и т. д.).