IGBT MG600Q1US59A

Описание IGBT MG600Q1US59A

IGBT MG600Q1US59A – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и промышленных систем управления. Модуль отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Основные сферы применения:

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|---------------------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль (NPT, Trench) | | Макс. напряжение (V_CES) | 600 В | | Ном. ток коллектора (I_C) | 600 А (при 25°C) | | Макс. ток импульса (I_CM) | 1200 А | | Мощность (P_tot) | ~2000 Вт (с учетом охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при ном. токе) | | Время переключения (t_on/t_off) | ~50 нс / 150 нс | | Температура работы | -40°C ... +150°C | | Корпус | 6-контактный модуль (обычно SEMiX или аналогичный) | | Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF600R06ME4, FF600R06KE3
• Mitsubishi: CM600DU-12NFH
• Fuji Electric: 6MBI600V-060
• SEMIKRON: SKM600GB12T4

Парт-номер производителя (оригинал):

• MG600Q1US59A (вероятно, от Microsemi или другого производителя)

Примечания

• Перед заменой рекомендуется проверять распиновку и параметры, так как разные производители могут иметь отличия в характеристиках.
• Для точного подбора аналога используйте datasheet оригинального модуля.

Если вам нужны дополнительные данные (графики, параметры охлаждения), уточните производителя модуля, и я помогу найти более точную информацию.