IGBT MG600J2YS60A

Описание IGBT MG600J2YS60A

MG600J2YS60A — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и промышленных систем управления.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип | IGBT модуль (NPT, Trench Gate) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 600 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 300 А |
| Пиковый ток (I_CP) | 1200 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 2000 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.08 °C/Вт |
| Корпус | модуль (изолированный) |
| Встроенный диод | Да (FRD) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальный производитель:

• Mitsubishi Electric (серия J2)

Прямые аналоги (совместимые модели):

• MG600J2YS50A (аналог с V_CES = 500 В)
• MG600J2YS60 (устаревшая версия)
• FF600R06KE3 (Infineon, 600 В, 600 А)
• CM600DY-24A (Powerex)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется более точная замена, рекомендуется сверяться с даташитами производителей, так как параметры могут незначительно отличаться.