IGBT mg50q2ys9

Описание IGBT MG50Q2YS9

IGBT MG50Q2YS9 — это мощный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах. Он сочетает в себе высокую скорость переключения, низкие потери и надежную работу при высоких напряжениях и токах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES).
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)).
• Встроенный быстрый диод для защиты от обратных токов.
• Высокая стойкость к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------------|---------------------------------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Пиковый ток (I_CM) | 100 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2,5 В (при I_C = 50 А) |
| Мощность рассеяния (P_D) | 250 Вт (с теплоотводом) |
| Время включения (t_on) | ~60 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW50N120T2, IKW50N120H3
• Fuji Electric: 2MBI50U2H-120
• Mitsubishi: CM50DY-24H
• SEMIKRON: SKM50GB128D
• IXYS: IXGH50N120B3

Совместимые модули (если MG50Q2YS9 входит в состав модуля):

• Infineon: FF50R12RT4
• Mitsubishi: PM50RLA120

Применение

• Промышленные частотные преобразователи.
• Сварочные инверторы.
• Системы управления электродвигателями.
• ИБП (источники бесперебойного питания).

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров.