IGBT MG50J6ES50

IGBT MG50J6ES50
Артикул: 298911

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT MG50J6ES50

Описание IGBT MG50J6ES50

MG50J6ES50 — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для мощных и высокочастотных применений. Он используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

  • Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES = 600 В)
  • Большой ток коллектора (IC = 50 А)
  • Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat) = 1,8 В)
  • Быстрое переключение и низкие динамические потери
  • Встроенный диод обратного восстановления
  • Корпус TO-247 (открытый, с хорошим теплоотводом)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Ток коллектора (IC) при 25°C | 50 А |
| Ток коллектора (IC) при 100°C | 25 А |
| Макс. импульсный ток (ICM) | 100 А |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | 1,8 В (при IC=25A) |
| Мощность рассеивания (PD) | 200 Вт |
| Время включения (ton) | 35 нс |
| Время выключения (toff) | 180 нс |
| Рабочая температура | -55°C … +150°C |
| Корпус | TO-247 |


Парт-номера и аналоги

Оригинальный производитель:

  • MG50J6ES50 (Mitsubishi Electric)

Прямые аналоги и замены:

  • IRG4PH50UD (Infineon)
  • FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
  • HGTG50N60A4D (STMicroelectronics)
  • IXGH50N60B3 (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модели (по характеристикам и корпусу TO-247):

  • FGA50N60UFD (600V, 50A)
  • IXGH50N60B3D1 (600V, 50A)
  • IRG4PC50U (600V, 55A)

Применение

  • Инверторы и частотные преобразователи
  • Сварочные аппараты
  • Импульсные блоки питания
  • Электроприводы и сервосистемы

Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы подключения), уточните!

Товары из этой же категории