IGBT MG50J6ES50

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT MG50J6ES50
Описание IGBT MG50J6ES50
MG50J6ES50 — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для мощных и высокочастотных применений. Он используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных устройствах.
Ключевые особенности:
- Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES = 600 В)
- Большой ток коллектора (IC = 50 А)
- Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat) = 1,8 В)
- Быстрое переключение и низкие динамические потери
- Встроенный диод обратного восстановления
- Корпус TO-247 (открытый, с хорошим теплоотводом)
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Ток коллектора (IC) при 25°C | 50 А |
| Ток коллектора (IC) при 100°C | 25 А |
| Макс. импульсный ток (ICM) | 100 А |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | 1,8 В (при IC=25A) |
| Мощность рассеивания (PD) | 200 Вт |
| Время включения (ton) | 35 нс |
| Время выключения (toff) | 180 нс |
| Рабочая температура | -55°C … +150°C |
| Корпус | TO-247 |
Парт-номера и аналоги
Оригинальный производитель:
- MG50J6ES50 (Mitsubishi Electric)
Прямые аналоги и замены:
- IRG4PH50UD (Infineon)
- FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
- HGTG50N60A4D (STMicroelectronics)
- IXGH50N60B3 (IXYS/Littelfuse)
Совместимые модели (по характеристикам и корпусу TO-247):
- FGA50N60UFD (600V, 50A)
- IXGH50N60B3D1 (600V, 50A)
- IRG4PC50U (600V, 55A)
Применение
- Инверторы и частотные преобразователи
- Сварочные аппараты
- Импульсные блоки питания
- Электроприводы и сервосистемы
Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы подключения), уточните!