IGBT MG400Q1US21

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT MG400Q1US21
Описание IGBT модуля MG400Q1US21
MG400Q1US21 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в силовой электронике, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и другие системы управления мощностью. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери и надежность в тяжелых рабочих условиях.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Номинальный ток (IC при 25°C) | 400 А |
| Макс. ток коллектора (ICM) | 800 А |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 1200 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 100 нс |
| Время выключения (toff) | 350 нс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C |
| Корпус | Изолированный (с изолированной базой) |
| Монтаж | Винтовой |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- MG400Q1US51 (модификация с улучшенными характеристиками)
- CM400DY-12NF (от Powerex)
- FF400R06KE3 (Infineon)
- SKM400GB066D (Semikron)
Совместимые модели в схожих корпусах:
- MG300Q1US21 (300A, 600V)
- MG600Q1US21 (600A, 600V)
Применение
- Промышленные инверторы
- Сварочные аппараты
- Частотные преобразователи
- Управление электродвигателями
Модуль MG400Q1US21 обеспечивает высокую надежность в мощных системах благодаря низким динамическим потерям и устойчивости к перегрузкам.
Если требуется уточнить параметры для конкретного применения, укажите условия эксплуатации.