IGBT mg25q6es51

Описание IGBT MG25Q6ES51

IGBT MG25Q6ES51 – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, промышленных приводах и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 600 В).
• Большой ток коллектора (I_C = 25 А).
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)).
• Быстрое переключение, подходит для ШИМ (PWM) управлением.
• Встроенный диод для защиты от обратного напряжения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------|--------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 25 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 50 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 120 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тип корпуса | TO-247 (3-контактный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и парт-номера:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600V, 21A, TO-247)
• FGA25N120ANTD (Fairchild, 1200V, 25A, TO-247)
• HGTG20N60B3 (ON Semiconductor, 600V, 20A, TO-247)
• IXGH25N60B (IXYS, 600V, 25A, TO-247)

Совместимые модели (зависит от схемы и условий работы):

• MG25Q6ES40 (аналог с меньшим напряжением, 400 В)
• MG25Q6ES60 (аналог с большим напряжением, 600 В)
• MG30Q6ES51 (более мощная версия, 30 А)

Применение

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания
• Электроприводы
• Солнечные инверторы

Если требуется точная замена, важно учитывать не только параметры, но и условия работы (частота переключения, тепловой режим).