IGBT mg25q2ys91

Описание IGBT MG25Q2YS91

IGBT MG25Q2YS41 – это мощный транзистор с изолированным затвором (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой температурной стабильностью. Корпус TO-247 обеспечивает хороший теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 900 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 25 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 50 А | | Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,7 В (при I_C = 25 А) | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• FGA25N120ANTD (Fairchild, 1200V, 25A)
• IXGH25N120B3 (IXYS, 1200V, 25A)
• IRG4PC50UD (Infineon, 600V, 55A) – для менее высоковольтных применений
• HGTG20N120BND (Microsemi, 1200V, 20A)

Совместимые модели в схемах:

• В инверторах и драйверах, где требуется IGBT на 900–1200 В с током 20–30 А.
• Часто используется в паре с быстрыми диодами (например, RURG3060) в схемах с обратным восстановлением.

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитом и учитывать параметры конкретной схемы.

Нужна дополнительная информация? 😊