IGBT MG25J6ES1

Описание IGBT MG25J6ES1

IGBT MG25J6ES1 – это силовой транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых электронных устройствах. Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through) и обладает низкими коммутационными потерями, высокой скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Корпус типа TO-247 обеспечивает хороший теплоотвод, что делает его пригодным для работы в жестких условиях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с диодом обратного хода | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 25 А (максимальный) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 16 А (максимальный) | | Импульсный ток (I_CM) | 50 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.6 В (тип.) при 12.5 А | | Входная емкость (C_ies) | ~1800 пФ | | Энергия включения (E_on) | ~0.6 мДж | | Энергия выключения (E_off) | ~0.4 мДж | | Рабочая частота | до 20 кГц (рекомендуемая) | | Корпус | TO-247 | | Температура хранения | от -55°C до +150°C | | Температура перехода | +150°C (макс.) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и парт-номера:

• MG25J6ES1 (оригинал, Toshiba)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60B3 (Microsemi)
• STGW25NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (с аналогичными характеристиками):

• IXGH25N60B3D1 (IXYS)
• APT25GT60J (Microchip)
• 25N60 (в различных сериях других производителей)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Электроприводы
• Сварочное оборудование

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики характеристик или спецификации от производителя), уточните модель или производителя для более точного поиска.