IGBT MG200Q2YS40

Описание IGBT MG200Q2YS40

IGBT MG200Q2YS40 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери при переключении и устойчивость к перегрузкам. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
• Быстрое переключение
• Встроенный антипараллельный диод (FRD)
• Высокая стойкость к перегрузкам и коротким замыканиям

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) | 200 А (при Tc=25°C) | | Ток коллектора (IC) | 100 А (при Tc=100°C) | | Импульсный ток (ICM) | 400 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.1 В (при IC=200A, VGE=15V) | | Напряжение затвора (VGE) | ±20 В | | Рассеиваемая мощность (Ptot)| 600 Вт | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.12 °C/W | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) | | Корпус | Модуль (изолированный) |

Совместимые модели и парт-номера

Аналоги и замены:

• Infineon: FF200R12KT4, FF200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-12NF, CM200DY-24NF (при другом напряжении)
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Парт-номера (альтернативные обозначения):

• Производитель: Toshiba
• Другие варианты маркировки: MG200Q2YS40X, MG200Q2YS40-ND

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно по напряжению, току и тепловым характеристикам.