IGBT MG200J2YS45

Описание IGBT MG200J2YS45

MG200J2YS45 — это мощный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, промышленных приводах и электромобилях.

Основные особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES = 1200 В).
• Большой ток коллектора (IC = 200 А).
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat) ~ 2,45 В).
• Быстрое переключение и низкие потери.
• Встроенный свободно-ходовой диод (FWD) для защиты от обратных токов.
• Корпус 2-pack (двухмодульный), удобный для мостовых схем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение VCES | 1200 В |
| Ток коллектора IC (при 80°C) | 200 А |
| Ток коллектора импульсный (ICM) | 400 А |
| Напряжение насыщения VCE(sat) | 2,45 В (при IC = 200 А) |
| Время включения (ton) | ~60 нс |
| Время выключения (toff) | ~200 нс |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,15 °C/Вт |
| Рабочая температура (Tj) | -40°C до +150°C |
| Корпус | 2-pack модуль (MG200J2YS45) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера Mitsubishi:

• MG200J2YS45 (основная модель)
• MG200J2YS45X (модификация с улучшенными характеристиками)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3 (200 А, 1200 В)
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120 (200 А, 1200 В)
• SEMIKRON: SKM200GB12T4 (200 А, 1200 В)
• Hitachi: CM200DY-12NF (200 А, 1200 В)

Применение

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Сварочные инверторы
• Тяговые системы (электромобили, поезда)
• ИБП и солнечные инверторы

Примечания

• При замене на аналог необходимо учитывать распиновку и тепловые параметры.
• Рекомендуется использовать термопасту и радиаторы для эффективного охлаждения.

Если нужна спецификация или даташит — уточните, предоставлю дополнительную информацию.