IGBT MG200J2YS40

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT MG200J2YS40
Описание IGBT MG200J2YS40
MG200J2YS40 — это высоковольтный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и промышленных приводов. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения, а также устойчивость к перегрузкам.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Производитель | Toshiba (возможны аналоги от других брендов) |
| Тип модуля | IGBT + диод (чаще всего Half-Bridge) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Номинальный ток (IC при 25°C) | 200 А |
| Импульсный ток (ICP) | 400 А |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | ~600 Вт (зависит от системы охлаждения) |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~2,0 В (при 100 А) |
| Время включения (ton) | ~50 нс |
| Время выключения (toff) | ~200 нс |
| Температурный диапазон | -40°C ... +150°C |
| Корпус | модуль с изолированным основанием (обычно TO-247 или подобный) |
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги (зависит от производителя):
- Toshiba: MG200J2YS40 (оригинал)
- Infineon: возможно IKQ200N60T (нужна проверка распиновки)
- Fuji Electric: 2MBI200N-060 (аналог с похожими параметрами)
- Mitsubishi: CM200DY-24NF (не точный аналог, но близкий по характеристикам)
Совместимые модели в схемах:
Модуль может заменяться на аналоги с параметрами:
- 600 В, 200+ А, аналогичная топология (Half-Bridge).
- Важно учитывать: распиновку, тепловые характеристики и управляющие напряжения.
Применение
- Промышленные частотные преобразователи
- Сварочные инверторы
- Системы управления электродвигателями
- Импульсные источники питания высокой мощности
Если требуется точная замена, рекомендуется сверять даташиты конкретных производителей. Некоторые аналоги могут отличаться по характеристикам переключения или тепловому сопротивлению.