IGBT MG200H2YS1

IGBT MG200H2YS1
Артикул: 298807

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT MG200H2YS1

Описание IGBT MG200H2YS1

MG200H2YS1 – это высоковольтный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Toshiba, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, промышленных приводов и сварочного оборудования. Модуль имеет двухключевую структуру (2 in 1) с встроенным диодом (FWD), что обеспечивает эффективное управление высокими токами и напряжениями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 in 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (IC @25°C) | 200 А |
| Макс. импульсный ток (ICP) | 400 А |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 600 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | ~2,1 В (тип.) |
| Время включения (ton) | ~60 нс |
| Время выключения (toff) | ~220 нс |
| Корпус | изолированный (с керамической подложкой) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |
| Встроенный диод (FWD) | Да |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Toshiba:

  • MG200H2YL1 (аналог с улучшенными характеристиками)
  • MG200H2YS2 (модификация с другим корпусом)

Аналоги от других производителей:

  • Infineon: FF200R12KE3
  • Mitsubishi: CM200DY-12S
  • SEMIKRON: SKM200GB12T4
  • Fuji Electric: 2MBI200U2A-120

Совместимые модули (по характеристикам):

  • IRG4PH40UD (International Rectifier, 1200V, 40A – для менее мощных систем)
  • IXGH40N120B3 (IXYS, 1200V, 40A – альтернатива для ремонта)

Применение

🔹 Промышленные инверторы
🔹 Электроприводы (ЧРП)
🔹 Сварочные аппараты
🔹 Источники бесперебойного питания (ИБП)
🔹 Установки плавного пуска

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!

Товары из этой же категории