IGBT MG15Q6ES50A

Описание и технические характеристики IGBT MG15Q6ES50A

Описание:
IGBT MG15Q6ES50A – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других высоковольтных/высокотоковых приложениях. Модуль обеспечивает высокую эффективность и надежность благодаря низкому падению напряжения в открытом состоянии и высокой переключающей способности.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | IGBT + диод (в одном корпусе) |
| Макс. напряжение (V_CES) | 500 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) / 15 А (при 100°C) |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 60 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 150 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.55 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 35 нс (тип.) |
| Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативные модели:

1. ST Microelectronics:
   • STGW30NC50WD
   • STGW30NC50W
2. Infineon:
   • IKW30N50T
   • IKW30N50H3
3. Fairchild/ON Semiconductor:
   • FGA30N50
   • FGH30N50
4. Toshiba:
   • GT30Q321
5. Mitsubishi:
   • CM300DY-12NF

Парт-номера (альтернативные обозначения):

• MG15Q6ES50A (оригинал)
• MG15Q6ES50A-TR (версия в ленте)
• MG15Q6ES50A-ND (версия для дистрибьюторов)

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Системы управления электродвигателями
• Сварочные аппараты
• Устройства плавного пуска

Если вам нужна более точная замена, рекомендуется проверять datasheet и сравнивать параметры, особенно V_CES, I_C и тепловые характеристики.