IGBT MG15J6ES1

Описание IGBT MG15J6ES1

MG15J6ES1 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), разработанный для применения в силовой электронике. Он обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам. Этот модуль обычно используется в:

• Частотных преобразователях
• Инверторах
• Системах управления двигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленных преобразовательных установках

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT (NPT, Trench Gate) | | Макс. напряжение V_CES | 600 В | | Макс. ток коллектора I_C | 30 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А | | Макс. импульсный ток (I_CP) | 60 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 100 Вт | | Напряжение насыщения V_CE(sat) | 1,8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 45 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 200 нс (тип.) | | Температура перехода (T_j) | -40°C ~ +150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные номера:

• MG15J6ES1 (основная маркировка)
• MG15J6ES1X (возможный вариант с улучшенными характеристиками)

Совместимые модели (аналоги от других производителей):

• Infineon: IKW15N60T, IKW30N60T
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA15N60, FGH15N60
• STMicroelectronics: STGW15NC60WD, STGW30NC60WD
• Toshiba: GT15J601

Кросс-совместимость:

Модули с аналогичными параметрами (600 В, 15–30 А) и корпусом TO-247 могут быть совместимы, но перед заменой рекомендуется проверять datasheet.

Примечания по применению

• Требуется правильный теплоотвод из-за высоких рабочих токов.
• Рекомендуется использование драйвера IGBT для снижения потерь при переключении.
• Перед заменой проверять распиновку и характеристики в datasheet.

Если вам нужна дополнительная информация (например, графики характеристик или схемы подключения), уточните!