IGBT MG150N2YS40

Описание IGBT MG150N2YS40

MG150N2YS40 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) от Toshiba, предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его пригодным для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и промышленных источниках питания.

Корпус модуля 2-pack (двойной) с изолированным основанием обеспечивает удобство монтажа и хорошие тепловые характеристики.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------|----------------------------------|
| Производитель | Toshiba |
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 150 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 75 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 300 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 600 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.1 В (при 75 А, 25°C) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 250 нс |
| Корпус | 2-pack (2 в 1, изолированный) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Toshiba:

• MG150N2YS51 (аналогичные параметры, возможно, другая серия)
• MG150N2YS60 (более высокое напряжение, 600 В)
• MG100N2YS40 (100 А, 600 В)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R06KE3 (150 А, 600 В, NPT IGBT)
• Mitsubishi: CM150DY-24S (150 А, 1200 В, но другой корпус)
• Fuji Electric: 2MBI150N-060 (150 А, 600 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется точная замена, рекомендуется уточнять параметры схемы и условия эксплуатации.