IGBT MG150J1ZS51

Описание IGBT MG150J1ZS51

IGBT MG150J1ZS51 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных силовых приложений. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и устойчивостью к перегрузкам. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 150 А (при 25°C) |
| Ток коллектора импульсный (I_CM) | 300 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 75A, 25°C) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 400 нс |
| Корпус | TO-3P (одиночный модуль) |
| Температура хранения | -40°C … +150°C |
| Рабочая температура | -25°C … +125°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• MG150J1YS51 (аналог с улучшенными параметрами)
• CM150DY-24A (от Powerex)
• FF150R12KT4 (Infineon, в другом корпусе)
• SKM150GB12T4 (SEMIKRON)

Совместимые модели в схемах:

• Может заменяться на MG100J1ZS51 (100А) при меньших нагрузках.
• Совместим с драйверами: 2SC0108T, 1ED020I12-F2 (Infineon).

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• ИБП и системы энергоснабжения

Если вам нужно уточнение по конкретному аналогу или datasheet, сообщите!