IGBT MG150J1JS50

Описание IGBT MG150J1JS50

MG150J1JS50 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) от Mitsubishi Electric, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, частотных приводов, сварочного оборудования и других силовых электронных устройств.

Этот модуль относится к N-канальному типу и имеет встроенный обратный диод (FRD), что обеспечивает эффективное управление высокими токами и напряжениями. Корпус выполнен в стандарте 1 in 1 (один IGBT + диод).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|----------| | Тип модуля | IGBT + FRD (1 in 1) | | Максимальное напряжение (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток (IC @ 25°C) | 150 А | | Максимальный импульсный ток (ICM) | 300 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~2,1 В (при IC=150A) | | Встроенный диод (FRD) | Да | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 600 Вт | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,12 °C/Вт | | Габариты (корпус) | Стандартный модуль (примерно 62x140x30 мм) | | Вес | ~200 г |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от Mitsubishi:

• CM150DY-24S (аналог по характеристикам)
• CM150DY-12H (аналог с другим корпусом)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• ON Semiconductor: NXH150B120H3Q1

Совместимые модули в схемах (с проверкой распиновки!):

• MG100J1JS50 (100A, 1200V) – более слабая версия
• MG200J1JS50 (200A, 1200V) – усиленная версия
• MG150J1BS50 (альтернативное исполнение)

Применение

• Силовые инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Индукционные нагреватели
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна дополнительная информация по распиновке или схемам подключения, уточните запрос!