IGBT MG100Q1JS40

Описание IGBT MG100Q1JS40

IGBT MG100Q1JS40 — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Этот модуль широко используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и импульсных источниках питания.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери при коммутации.
• Встроенный обратный диод (FWD) для защиты от перенапряжений.
• Хорошая температурная стабильность.
• Корпус с изолированным основанием для удобного монтажа на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 100 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | до 200 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~300 Вт (зависит от охлаждения) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (при I_C = 100 А) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~300 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | модуль (изолированный) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• MG100Q1JS40 (полное оригинальное обозначение)
• MG100Q1JS40RL (версия с ленточной упаковкой)

Совместимые аналоги:

• CM100DY-24H (Mitsubishi)
• FF100R12KS4 (Infineon)
• FZ100R12KE3 (Infineon)
• SKM100GB128D (Semikron)
• IXGH100N120B3 (IXYS)

При замене аналогами рекомендуется проверять распиновку и характеристики, особенно напряжение, ток и параметры встроенного диода.

Применение

• Промышленные частотные преобразователи.
• Сварочные инверторы.
• Управление электродвигателями (в т.ч. сервоприводами).
• Импульсные блоки питания.

Если нужна дополнительная информация по подключению или datasheet, уточните запрос!