IGBT MG100J6ES50

Описание IGBT MG100J6ES50

IGBT MG100J6ES50 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и промышленные системы управления электродвигателями.

Этот модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери при коммутации и хорошую термоустойчивость благодаря использованию передовой технологии IGBT.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT-модуль (N-канальный) | | Макс. напряжение | 600 В (VCES) | | Номинальный ток | 100 А (IC при 25°C) | | Ток коллектора (макс.) | 200 А (импульсный) | | Рассеиваемая мощность | ~300 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения | ~1.8 В (VCE(sat) при 100 А) | | Время включения (ton) | ~60 нс | | Время выключения (toff) | ~200 нс | | Температура работы | от -40°C до +150°C | | Корпус | Изолированный (TO-247 или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi: CM100DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI100N-060
• Infineon: FF100R06KE3
• SEMIKRON: SKM100GB066D

Похожие модели по характеристикам:

• MG75J6ES50 (75 А, 600 В)
• MG150J6ES50 (150 А, 600 В)
• IRG4PH50UD (International Rectifier, 55 А, 600 В)

Применение

• Силовые инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Если вам нужна более детальная информация по подключению или datasheet, уточните производителя (возможно, это Mitsubishi или другой бренд).