IGBT MG100J1ZS50

Описание IGBT MG100J1ZS50

MG100J1ZS50 – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и систем управления электродвигателями. Обладает высокой скоростью переключения, низкими потерями проводимости и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип устройства | N-канальный IGBT с диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В | | Ток коллектора (I_C) | 100 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 200 А | | Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт (с теплоотводом) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) | | Время включения (t_d(on)) | 60 нс (тип.) | | Время выключения (t_d(off)) | 300 нс (тип.) | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Температура хранения | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги:

• MG100J1ZS50 (Mitsubishi)
• CM100DY-24NF (Powerex)
• FF100R12KS4 (Infineon)

Совместимые модели:

• FGA100N60SMD (Fairchild/ON Semi)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• IXGH100N60B3 (IXYS)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Управление электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров.