IGBT MG100H2DL1

Описание IGBT MG100H2DL1

IGBT MG100H2DL1 – это силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в высоковольтных и сильноточных приложениях, таких как:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Промышленные приводы
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы транспортных средств

Этот модуль сочетает высокую эффективность, надежность и устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | IGBT модуль (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 100 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 200 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 330 Вт |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,38 °C/Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 100 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Корпус | Изолированный (с керамической подложкой) |
| Температура хранения | от -40°C до +125°C |
| Температура работы | от -25°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• MG100H2DL1 (оригинал)
• CM100H2DL1 (аналог от Powerex)
• SKM100GB12D (Semikron)
• FZ100R12KE3 (Infineon)
• Mitsubishi CM100H2DL1

Совместимые модели в схожих корпусах:

• MG75H2DL1 (75 А, 1200 В)
• MG150H2DL1 (150 А, 1200 В)
• MG200H2DL1 (200 А, 1200 В)

Применение и особенности

• Высокий КПД благодаря низкому напряжению насыщения.
• Защита от перегрева за счет керамической изоляции.
• Совместимость с драйверами IR, Infineon, Toshiba.
• Рекомендуемая охлаждающая паста – Kerafol, Dow Corning.

Если нужны дополнительные данные (например, распиновка или пример схемы подключения), уточните!