IGBT mdip

Описание IGBT MDIP

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе MDIP (Module Dual In-line Package) — это силовой полупроводниковый компонент, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Такие модули широко используются в инверторах, преобразователях частоты, сварочных аппаратах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики (общие для большинства IGBT MDIP)

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В, 1200 В, 1700 В (зависит от модели)
• Максимальный ток коллектора (I_C): 10 А – 100 А
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 100 Вт – 500 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1.5 В – 3.5 В
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 50 нс – 200 нс
• Температурный диапазон: -40°C до +150°C
• Корпус: MDIP (изолированный или неизолированный)

Популярные парт-номера IGBT MDIP

1. Infineon Technologies:

   • IKW40N65H5 (650 В, 40 А)
   • IKW75N65EH5 (650 В, 75 А)
   • IKW30N60T (600 В, 30 А)

2. STMicroelectronics:

   • STGW40H65DFB (650 В, 40 А)
   • STGW30H65DFB (650 В, 30 А)

3. Fuji Electric:

   • 2MBI100V-060 (600 В, 100 А)
   • 2MBI75V-120 (1200 В, 75 А)

4. Mitsubishi Electric:

   • CM75DY-24H (1200 В, 75 А)
   • CM100DY-24H (1200 В, 100 А)

5. ON Semiconductor:

   • FGA25N120ANTD (1200 В, 25 А)
   • FGH40N60SFD (600 В, 40 А)

Совместимые модели и аналоги

Некоторые IGBT MDIP взаимозаменяемы с аналогами других производителей. Например:

• IKW40N65H5 (Infineon) ↔ STGW40H65DFB (STMicroelectronics)
• CM75DY-24H (Mitsubishi) ↔ 2MBI75V-120 (Fuji Electric)

Для точного подбора аналога следует учитывать:

• Напряжение и ток коллектора
• Скорость переключения
• Тип корпуса (изолированный/неизолированный)
• Распиновку и тепловые характеристики

Если у вас конкретная модель IGBT MDIP, уточните её, и я помогу подобрать точные аналоги.