IGBT MBR75SB060B

IGBT MBR75SB060B: Описание и технические характеристики

Описание:
IGBT MBR75SB060B — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных источниках питания, инверторах, электроприводах и других силовых электронных устройствах. Модель отличается высокой скоростью переключения, низкими потерями проводимости и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Ток коллектора импульсный (I_CM) | 150 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при I_C = 75 А) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Рабочая температура (T_j) | -55°C … +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA75N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW75NC60WD (STMicroelectronics)
• HGTG75N60A4D (Microsemi)

Похожие IGBT (с близкими характеристиками):

• MBR75SB060A (предыдущая версия с похожими параметрами)
• MBR75SB060C (возможна модификация с улучшенными характеристиками)
• IXGH75N60B3D1 (IXYS)

Применение:

• Силовые инверторы
• Импульсные блоки питания
• Электроприводы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование

Примечание:
Перед заменой на аналог рекомендуется уточнить параметры в даташите, так как некоторые модели могут отличаться по времени переключения, тепловым характеристикам и корпусу.

Если нужны дополнительные данные (например, графики или точные параметры для конкретных условий), уточните — помогу найти!