IGBT MBR25VP120-50

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT MBR25VP120-50
Описание IGBT MBR25VP120-50
MBR25VP120-50 – это IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных силовых приложений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (быстрое переключение) и биполярных транзисторов (низкие потери в открытом состоянии). Подходит для инверторов, импульсных источников питания, сварочного оборудования и электроприводов.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |
| Корпус | TO-247 |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (IC) | 25 А |
| Ток импульсный (ICM) | 50 А |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 250 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | ~2,5 В (при IC = 25 А) |
| Время включения (ton) | ~60 нс |
| Время выключения (toff) | ~200 нс |
| Температура перехода (Tj) | -55°C до +150°C |
Аналоги и совместимые модели
Прямые аналоги (схожие параметры):
- IRG4PH50UD (1200 В, 23 А, TO-247)
- FGA25N120ANTD (1200 В, 25 А, TO-247)
- HGTG20N120BND (1200 В, 20 А, TO-247)
- IXGH25N120B (1200 В, 25 А, TO-247)
Парт-номера (альтернативные обозначения):
- MBR25VP120-50 (оригинальный номер)
- MBR25VP120 (упрощённое обозначение)
- 25VP120 (вариант маркировки)
Применение
- Инверторы и частотные преобразователи
- Сварочные аппараты
- ИБП (источники бесперебойного питания)
- Электроприводы и сервосистемы
Примечание
Перед заменой на аналог рекомендуется сверять параметры (особенно VCES, IC и тепловые характеристики). Для точного соответствия лучше использовать оригинальную модель или рекомендованные производителем аналоги.
Если вам нужна дополнительная информация (например, графики характеристик или datasheet), уточните запрос!