IGBT mbi300120

Описание IGBT MBI300120

MBI300120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и промышленные приводы. Модуль имеет встроенный обратный диод (FRD), что обеспечивает эффективную работу в схемах с индуктивной нагрузкой.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT с диодом |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 300 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 600 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2,0 В (при 300 А) |
| Встроенный диод | Fast Recovery Diode (FRD) |
| Максимальная рабочая температура (T_j) | 150 °C |
| Корпус | Стандартный (например, 62 мм или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и совместимые модели могут отличаться в зависимости от производителя, но некоторые возможные замены:

• Mitsubishi: CM300DY-12NFH, CM300DY-24NFH (при замене по параметрам)
• Infineon: FF300R12KE3
• Fuji: 2MBI300N-120
• Semikron: SKM300GB12T4
• IXYS: MBI300-12

Примечание:

Перед заменой модуля необходимо уточнять распиновку, конструктивные особенности и рабочие параметры, так как даже схожие модели могут иметь различия в характеристиках.

Если вам нужны точные аналоги для конкретного применения, укажите схему или производителя оборудования – помогу подобрать оптимальный вариант.