IGBT mbi200l-120

Описание IGBT MBI200L-120

MBI200L-120 – это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных приводов. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность.

Корпус модуля обычно выполнен в изолированном исполнении, что упрощает монтаж на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 200 А (при 25°C) | | Ток в импульсе (I_CM) | до 400 А | | Мощность (P_tot) | ~1000 Вт (зависит от охлаждения)| | Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В (рекомендуемое ±15 В) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.5 В (при ном. токе) | | Время переключения (t_on/t_off) | ~100 нс / ~300 нс | | Диапазон температур | -40°C … +150°C (корпус) | | Корпус | Изолированный (тип Module) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут отличаться по корпусу и характеристикам, но функционально близки:

Прямые аналоги:

• FZ200R12KE3 (Infineon)
• CM200DY-12NF (Mitsubishi)
• MBN200L-120 (аналог от того же производителя)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• SKM200GB12T4 (Semikron)
• 2MBI200N-120 (Fuji Electric)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet и схему включения.