IGBT LUH75G602

Описание IGBT LUH75G602

IGBT LUH75G602 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и моторных приводов. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, а также высокой стойкостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (DUAL) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Ток в импульсе (I_CP) | 150 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 75 А) | | Время включения (t_on) | 40 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA75N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW75H60DF (STMicroelectronics)
• IXGH75N60B3 (IXYS)

Примечание:

При замене модуля необходимо учитывать схему включения, параметры драйвера и тепловые характеристики. Для точного подбора аналога рекомендуется сверяться с даташитами производителей.

Если нужны дополнительные параметры (например, емкость затвора, кривые SOA), уточните – предоставлю более детальные данные.