IGBT LA55-P

Описание IGBT LA55-P

IGBT LA55-P — это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 55 A |
| Ток импульсный (I_CM) | 110 A |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 55 A) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Температура эксплуатации | от -40 °C до +150 °C |

Парт-номера и совместимые модели

IGBT LA55-P может иметь аналоги и замены от других производителей:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60A4D (Microsemi)
• IXGH50N60B3D1 (IXYS)
• STGW40H60DF (STMicroelectronics)

Также могут подходить модули IGBT в схожих корпусах с близкими параметрами (600 В, 50-60 А).

Если у вас есть дополнительные данные (например, производитель), уточнение совместимости будет точнее.