IGBT k75t60

Описание IGBT-транзистора K75T60

K75T60 — это IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы управления электродвигателями
• Сварочное оборудование
• Устройства плавного пуска

Этот транзистор сочетает в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярных транзисторов (низкие потери в открытом состоянии).

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 150 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2,1 В (при I_C = 75 А) |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3 контакта) |
| Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и прямые замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600 В, 55 А)
• FGA75N60 (Fairchild/ON Semi, 600 В, 75 А)
• IXGH75N60B3 (IXYS/Littelfuse, 600 В, 75 А)
• STGW75NC60WD (STMicroelectronics, 600 В, 75 А)

Совместимые модели в зависимости от схемы:

• K50T60 (аналог с меньшим током, 50 А)
• K100T60 (аналог с большим током, 100 А)
• HGTG75N60B3 (аналог от Microsemi)

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и параметры (особенно V_CE(sat) и скорость переключения).
• В мощных схемах рекомендуется использовать радиатор и термопасту.
• Для надежности лучше выбирать оригинальные или проверенные аналоги от известных производителей (Infineon, ST, IXYS, ON Semi).

Если вам нужна более точная информация по конкретному аналогу, уточните производителя или сферу применения.