IGBT K210F02

Описание IGBT K210F02

IGBT K210F02 — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, таких как инверторы, импульсные источники питания, системы управления двигателями и другие высоковольтные/высокотоковые приложения.

Этот компонент сочетает в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярных транзисторов (низкие потери проводимости), что делает его эффективным в высокомощных схемах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 10-20 А (зависит от условий охлаждения) |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 5-10 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 30-40 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 50-100 Вт (с радиатором) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4-6 В |
| Время включения (t_on) | 30-100 нс |
| Время выключения (t_off) | 100-300 нс |
| Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0.5-1.0 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 / TO-3P (в зависимости от производителя) |

(Точные значения могут отличаться у разных производителей! Проверяйте даташит.)

Совместимые модели и парт-номера

Аналоги и замены:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• H20R1202 (STMicroelectronics)
• GT30J321 (Toshiba)

Похожие парт-номера (в зависимости от корпуса и параметров):

• K210F02R (возможный вариант с обратным диодом)
• K210F02T (альтернативный корпус)

(Для точной замены рекомендуется проверять даташит и сравнивать параметры V_CES, I_C и тепловые характеристики.)

Применение

• Промышленные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями

Если у вас есть конкретный производитель или даташит, уточните — помогу найти более точные данные!