IGBT IXYH50N120C3D1

Описание IGBT IXYH50N120C3D1

IXYH50N120C3D1 – это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и током коллектора 75 А (при 25°C). Модуль разработан для высоковольтных и сильноточных приложений, таких как:

• Промышленные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Солнечные инверторы

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Высокая стойкость к перегрузкам
• Встроенный антипараллельный диод (FRD)
• Высокая термостабильность
• Корпус TO-247 (для удобного монтажа)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 50 А | | Пиковый ток (I_CM) | 150 А | | Падение напряжения V_CE(sat) (при I_C = 50 А) | ≤ 2,5 В | | Входная емкость (C_ies) | ~ 3,5 нФ | | Энергия включения (E_on) | ~ 1,8 мДж | | Энергия выключения (E_off) | ~ 1,2 мДж | | Температура перехода (T_j) | -55°C ... +175°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~ 0,5 °C/Вт | | Корпус | TO-247 |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N120BN (Microsemi)
• STGW50NC120HD (STMicroelectronics)

Похожие модели с близкими параметрами:

• IXGH50N120B3D1 (1200 В, 50 А)
• IXGH60N120B3D1 (1200 В, 60 А)
• IXYH40N120C3D1 (1200 В, 40 А)

Примечание

При замене IXYH50N120C3D1 на аналог необходимо учитывать:

• Соответствие по напряжению и току
• Наличие встроенного диода (если требуется)
• Тепловые характеристики и способ охлаждения

Если нужен точный аналог, лучше сверяться с даташитом производителя (IXYS, ныне Littelfuse).