IGBT IXGH30N120B3D1

Описание IGBT IXGH30N120B3D1

IXGH30N120B3D1 – это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) от IXYS, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Устройство обладает высокой скоростью переключения, низкими потерями проводимости и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Основные области применения:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Системы управления двигателями
• Индукционные нагреватели

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Максимальное напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 60 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C = 30 А) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для инверторов) | | Корпус | TO-247 (3 вывода) | | Встроенный диод | Нет (требуется внешний обратный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXGH30N120B3 (более старая версия)
• IXGH30N120B3D (аналогичный, с улучшенными характеристиками)
• IRG4PH40UD (International Rectifier, 1200 В, 40 А)
• FGA30N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor, 1200 В, 30 А)
• HGTG30N120B3D (Microsemi, 1200 В, 30 А)

Похожие модели от IXYS:

• IXGH32N170A (1700 В, 32 А)
• IXGH40N60B3D1 (600 В, 40 А)

Примечания

• IXGH30N120B3D1 имеет улучшенную устойчивость к лавинному пробою по сравнению с предыдущими поколениями.
• Для работы на высоких частотах рекомендуется использовать быстрый обратный диод (FRED) параллельно.
• При замене на аналог необходимо учитывать параметры V_CE, I_C и тепловые характеристики.

Если требуется более точный подбор аналога, уточните условия эксплуатации (частота, ток, охлаждение).