IGBT IXGH25N100A

Описание IGBT IXGH25N100A

IXGH25N100A — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Этот компонент сочетает в себе преимущества MOSFET (высокое входное сопротивление, быстрое переключение) и биполярных транзисторов (низкие потери в открытом состоянии).

Применяется в:

• Инверторах и преобразователях
• Системах управления электродвигателями
• Сварочном оборудовании
• ИБП (источниках бесперебойного питания)
• Индукционном нагреве

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 25 А (макс.) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А (макс.) | | Импульсный ток (I_CM) | 50 А (макс.) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) при 25 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 250 Вт (при 25°C) | | Время включения (t_on) | 150 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 500 нс (тип.) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0.5 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (изолированный вариант доступен) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и парт-номера

• IXYS (Littelfuse): IXGH25N100A2 (модификация с улучшенными характеристиками)
• Infineon: IGW25N120H3 (1200 В, 25 А)
• Fuji Electric: 2MBI100N-100 (1000 В, 25 А, модуль)
• STMicroelectronics: STGW25NC100V (1000 В, 25 А)

Совместимые модели (по характеристикам)

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 1000 В, 23 А)
• HGTG20N100B3D (Microsemi, 1000 В, 20 А)
• APT50GR100J (Microchip, 1000 В, 50 А)

Примечания

• Замена: При выборе аналога важно учитывать не только напряжение и ток, но и параметры переключения, тепловые характеристики и корпус.
• Охлаждение: Рекомендуется использовать радиатор для мощных применений.

Если нужны дополнительные данные (графики, даташит), уточните!