IGBT IXFN230N10

Описание IGBT IXFN230N10

IXFN230N10 — это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 100 В и током коллектора 230 А в импульсе. Применяется в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |
| Напряжение V_CE | 100 В |
| Ток коллектора I_C (при 25°C) | 230 А (импульсный) |
| Ток коллектора I_C (при 100°C) | ~150 А (продолжительный) |
| Напряжение насыщения V_CE(sat) | ~1.8 В (при 230 А) |
| Время включения t_d(on) | ~50 нс |
| Время выключения t_d(off) | ~150 нс |
| Макс. температура перехода T_j | +175°C |
| Корпус | TO-264 (аналогичен TO-3P) |
| Тип диода | Встроенный обратный диод (Fast Recovery) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• IRG4PH50UD (International Rectifier) – 100 В, 160 А
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi) – 1200 В (но схожий ток)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics) – 600 В, 60 А
• HGTG20N60B3 (Infineon) – 600 В, 40 А

Рекомендуемые замены с близкими параметрами:

• IXFN250N10 (250 А, 100 В)
• IXFN200N10 (200 А, 100 В)

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление двигателями
• Импульсные блоки питания

Если вам нужна точная замена, лучше проверять datasheet на соответствие параметров. Некоторые аналоги могут иметь отличия в динамических характеристиках или корпусах.